NCP5183DR2G

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제품 모델

NCP5183DR2G
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

IC DRIVER HI/LO 600V 8SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

NCP5183DR2G.pdf
전압 - 공급

9 V ~ 18 V
제조업체 장치 패키지

8-SOIC
연속

-
상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 12ns
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들

NCP5183DR2GOSTR
작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)
입력 주파수

2
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

26 Weeks
논리 전압 - VIL, VIH

1.2V, 2.5V
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 유형

Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩)

600V
게이트 유형

N-Channel MOSFET
구동 구성

Half-Bridge
상세 설명

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크)

4.3A, 4.3A
베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대)

Independent

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