NDS8958

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제품 모델

NDS8958
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

NDS8958.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.8V @ 250µA
제조업체 장치 패키지

8-SO
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

35 mOhm @ 5.3A, 10V
전력 - 최대

900mW
포장

Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들

NDS8958CT
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

720pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V
FET 유형

N and P-Channel
FET 특징

Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.3A, 4A 900mW Surface Mount 8-SO
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A, 4A

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