NGTB40N65IHRTG

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규격

제품 모델

NGTB40N65IHRTG
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

650V/40A RC IGBT
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

NGTB40N65IHRTG.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)

650V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)

1.7V @ 15V, 40A
시험 조건

400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C

-
에너지 전환

420µJ (off)
제조업체 장치 패키지

TO-3P
연속

-
전력 - 최대

405W
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3
다른 이름들

NGTB40N65IHRTGOS
작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형

Through Hole
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 유형

Standard
IGBT 유형

Trench Field Stop
게이트 충전

190nC
상세 설명

IGBT Trench Field Stop 650V 80A 405W Through Hole TO-3P
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)

160A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)

80A

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기술: IGBT 650V 40A TO-247

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기술: IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4

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기술: IGBT 45A 600V TO-247

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기술: IGBT 600V 80A 417W TO247

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기술: IGBT 600V 45A TO-247

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기술: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247

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기술: IGBT 45A 600V TO-247

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