NHPD660T4G

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규격

제품 모델

NHPD660T4G
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

NHPD660T4G.pdf
ECAD 모델
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

3V @ 6A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

600V
제조업체 장치 패키지

DPAK
속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
연속

-
역 회복 시간 (trr)

30ns
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들

NHPD660T4G-ND
NHPD660T4GOSTR
작동 온도 - 정션

-65°C ~ 175°C
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

5 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
다이오드 유형

Standard
상세 설명

Diode Standard 600V 6A Surface Mount DPAK
전류 - 누설 Vr에서 역방향

30µA @ 600V
전류 - 평균 정류 (Io)

6A
VR, F @ 용량

-

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기술: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FL

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP

제조업체: ON Semiconductor

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기술: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

제조업체: Microsemi

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기술: DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A D2PAK

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제조업체: Central Semiconductor

유품

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기술: 12A,150V,SCHOTTKY,TO-277B PACKAG

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)

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NHPM120T3G

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2

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기술: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP

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