Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-양극 (bjt)-배열, 프리 바이어스 > NSB1706DMW5T1
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1207826NSB1706DMW5T1 이미지AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSB1706DMW5T1

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    NSB1706DMW5T1
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    NSB1706DMW5T1.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    250mV @ 1mA, 10mA
  • 트랜지스터 유형
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 제조업체 장치 패키지
    SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    47 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    4.7 kOhms
  • 전력 - 최대
    250mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 다른 이름들
    NSB1706DMW5T1OS
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 주파수 - 전환
    -
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    80 @ 5mA, 10V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    500nA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA
  • 기본 부품 번호
    NSB1706

Anthropic은 아마존으로부터 40 억 달러의 투자를 더받으며, 두...

2024년11월23일

Semi : IC 판매량은 3 분기에 12% 증가하고, 성장은 Q4로 ...

2024년11월22일

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "NSB1706DMW5T1"관련 제품입니다.
NSB13211DW6T1G

NSB13211DW6T1G

기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSB8BTHE3/45

NSB8BTHE3/45

기술: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSB8BTHE3/81

NSB8BTHE3/81

기술: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSB8BTHE3_A/P

NSB8BTHE3_A/P

기술: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSB8BT-E3/81

NSB8BT-E3/81

기술: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSB8DT-E3/81

NSB8DT-E3/81

기술: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSB13ANT3G

NSB13ANT3G

기술: TVS DIODE 13V 21.5V SMB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSB4904DW1T1G

NSB4904DW1T1G

기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSB8ATHE3_A/P

NSB8ATHE3_A/P

기술: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSB8BT-E3/45

NSB8BT-E3/45

기술: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSB8AT-E3/45

NSB8AT-E3/45

기술: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSB8DT-E3/45

NSB8DT-E3/45

기술: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSB8BTHE3_A/I

NSB8BTHE3_A/I

기술: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSB8AT-E3/81

NSB8AT-E3/81

기술: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSB8ATHE3/81

NSB8ATHE3/81

기술: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSB12ANT3G

NSB12ANT3G

기술: TVS DIODE 12V 19.9V SMB

제조업체: Hamlin / Littelfuse
유품
RFQ
NSB8DTHE3/45

NSB8DTHE3/45

기술: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSB8ATHE3/45

NSB8ATHE3/45

기술: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSB8ATHE3_A/I

NSB8ATHE3_A/I

기술: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.