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2277426NSBA114EDP6T5G 이미지AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA114EDP6T5G

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유품
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규격
  • 제품 모델
    NSBA114EDP6T5G
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    NSBA114EDP6T5G.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    250mV @ 300µA, 10mA
  • 트랜지스터 유형
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-963
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    10 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    10 kOhms
  • 전력 - 최대
    338mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-963
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    4 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    -
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 338mW Surface Mount SOT-963
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    35 @ 5mA, 10V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    500nA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA
  • 기본 부품 번호
    NSBA1*

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NSB9435T1G

NSB9435T1G

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSBA114YDXV6T1

NSBA114YDXV6T1

기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSBA114TF3T5G

NSBA114TF3T5G

기술: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSBA114TDXV6T1

NSBA114TDXV6T1

기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSBA114TDP6T5G

NSBA114TDP6T5G

기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSBA114EF3T5G

NSBA114EF3T5G

기술: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSB9703

NSB9703

기술: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

제조업체: Desco
유품
RFQ
NSBA114EDXV6T5G

NSBA114EDXV6T5G

기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

기술: TRANS PREBIAS DUAL PNP

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSBA114YDP6T5G

NSBA114YDP6T5G

기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSBA114EDXV6T5

NSBA114EDXV6T5

기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSBA114TDXV6T5

NSBA114TDXV6T5

기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
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