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제조업체 / 브랜드
AMI Semiconductor/onsemi
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유품
기술
TRANS PNP PREBIAS/PNP 0.23W SC88
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
사양서
NSM11156DW6T1G.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
50V, 65V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
트랜지스터 유형
1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
제조업체 장치 패키지
SC-88/SC70-6/SOT-363
연속
-
저항기 - 이미 터베이스 (R2)
10 kOhms
저항기 -베이스 (R1)
10 kOhms
전력 - 최대
230mW
포장
Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
실장 형
Surface Mount
수분 민감도 (MSL)
1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환
-
상세 설명
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP 50V, 65V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
100mA
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