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NTB23N03RT4G

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제품 모델

NTB23N03RT4G
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

NTB23N03RT4G.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

D2PAK
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

45 mOhm @ 6A, 10V
전력 소비 (최대)

37.5W (Tj)
포장

Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들

NTB23N03RT4GOSCT
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

225pF @ 20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

3.76nC @ 4.5V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

25V
상세 설명

N-Channel 25V 23A (Ta) 37.5W (Tj) Surface Mount D2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Ta)

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기술: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

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기술: MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK

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