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NTD18N06LT4G

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  • 제품 모델
    NTD18N06LT4G
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    NTD18N06LT4G.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±15V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    DPAK
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    65 mOhm @ 9A, 5V
  • 전력 소비 (최대)
    2.1W (Ta), 55W (Tj)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 다른 이름들
    NTD18N06LT4GOS
    NTD18N06LT4GOS-ND
    NTD18N06LT4GOSTR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    11 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    675pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    22nC @ 5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    N-Channel 60V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Surface Mount DPAK
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    18A (Ta)

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NTD18N06LT4

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NTD18N06T4G

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NTD20N03L27

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NTD20N03L27G

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제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NTD18N06

NTD18N06

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NTD18N06G

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NTD15N06T4

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NTD18N06L

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NTD20N06-001

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NTD20N03L27T4G

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