NTD4909NA-35G

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제품 모델

NTD4909NA-35G
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.2V @ 250µA
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

I-PAK
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

8 mOhm @ 30A, 10V
전력 소비 (최대)

-
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-251-3 Stub Leads, IPak
작동 온도

-
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

10 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1314pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

17.5nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

N-Channel 30V 8.8A (Ta), 41A (Tc) Through Hole I-PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.8A (Ta), 41A (Tc)

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