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1741318NTE4151PT1G 이미지AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTE4151PT1G

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  • 제품 모델
    NTE4151PT1G
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    NTE4151PT1G.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±6V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SC-89-3
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    360 mOhm @ 350mA, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    313mW (Tj)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    SC-89, SOT-490
  • 다른 이름들
    NTE4151PT1GOSCT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    37 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    156pF @ 5V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    2.1nC @ 4.5V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    P-Channel 20V 760mA (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount SC-89-3
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    760mA (Tj)

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기술: DC DC CONVERTER 12V 1W

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