NTMSD2P102R2SG

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제품 모델

NTMSD2P102R2SG
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
아이디 @ VGS (일) (최대)

-
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

8-SOIC
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
전력 소비 (최대)

-
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
작동 온도

-
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

750pF @ 16V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 4.5V
FET 유형

P-Channel
FET 특징

Schottky Diode (Isolated)
소스 전압에 드레인 (Vdss)

20V
상세 설명

P-Channel 20V 2.3A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A (Ta)

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