NTQS6463R2

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제품 모델

NTQS6463R2
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 비 준수
사양서

NTQS6463R2.pdf
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

900mV @ 250µA
Vgs (최대)

±12V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

8-TSSOP
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

20 mOhm @ 6.8A, 4.5V
전력 소비 (최대)

930mW (Ta)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
다른 이름들

NTQS6463R2OS
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS non-compliant
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 5V
FET 유형

P-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

20V
상세 설명

P-Channel 20V 6.8A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.8A (Ta)

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기술: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP

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기술: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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