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  • 제품 모델
    NTTFS4H07NTWG
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 25V 18.5A U8FL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    NTTFS4H07NTWG.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    4.8 mOhm @ 30A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    2.64W (Ta), 33.8W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerWDFN
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    44 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    771pF @ 12V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    12.4nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    25V
  • 상세 설명
    N-Channel 25V 18.5A (Ta), 66A (Tc) 2.64W (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    18.5A (Ta), 66A (Tc)

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NTTFS4C58NTAG

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NTTFS4H07NTAG

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기술: MOSFET N-CH 25V 18.5A U8FL

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기술: MOSFET N-CH 25V 22.4A U8FL

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NTTFS5820NLTWG

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