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NTTS2P02R2G

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규격

제품 모델

NTTS2P02R2G
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

NTTS2P02R2G.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

1.4V @ 250µA
Vgs (최대)

±8V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

Micro8™
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
전력 소비 (최대)

780mW (Ta)
포장

Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
다른 이름들

NTTS2P02R2GOSCT
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 16V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 4.5V
FET 유형

P-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

20V
상세 설명

P-Channel 20V 2.4A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount Micro8™
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.4A (Ta)

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