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NVTFS5811NLTWG

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  • 제품 모델
    NVTFS5811NLTWG
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    NVTFS5811NLTWG.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    6.7 mOhm @ 20A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    3.2W (Ta), 21W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerWDFN
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1570pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    40V
  • 상세 설명
    N-Channel 40V 16A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    16A (Ta)

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