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규격
  • 제품 모델
    SMMUN2114LT1G
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SMMUN2114LT1G.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    250mV @ 300µA, 10mA
  • 트랜지스터 유형
    PNP - Pre-Biased
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-23-3 (TO-236)
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    47 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    10 kOhms
  • 전력 - 최대
    246mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 다른 이름들
    SMMUN2114LT1G-ND
    SMMUN2114LT1GOSTR
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    36 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    80 @ 5mA, 10V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    500nA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA
  • 기본 부품 번호
    MMUN21**L

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SMMSZ4711T1G

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기술: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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SMMSZ5256BT1G

SMMSZ5256BT1G

기술: DIODE ZENER 30V 500MW SOD123

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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SMMUN2216LT1G

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기술: TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

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SMMSZ5252BT1G

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기술: DIODE ZENER 24V 500MW SOD123

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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SMMSZ5254BT1G

SMMSZ5254BT1G

기술: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123

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SMMUN2213LT1G

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기술: TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

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SMMUN2116LT3G

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기술: TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23

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기술: TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

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기술: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

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SMMUN2213LT3G

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기술: TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

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SMMSZ5252ET1G

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