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3072825SVD5865NLT4G 이미지AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SVD5865NLT4G

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유품
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규격
  • 제품 모델
    SVD5865NLT4G
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SVD5865NLT4G.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    DPAK
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    16 mOhm @ 19A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    3.1W (Ta), 71W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 다른 이름들
    NVD5865NLT4G-ND
    NVD5865NLT4GOSTR
    SVD5865NLT4G
    SVD5865NLT4GOSTR
    SVD5865NLT4GOSTR-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1400pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    N-Channel 60V 10A (Ta), 46A (Tc) 3.1W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount DPAK
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    10A (Ta), 46A (Tc)

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IRF3709

IRF3709

기술: MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
NTD4865NT4G

NTD4865NT4G

기술: MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
IXFX120N25

IXFX120N25

기술: MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
SI7356ADP-T1-GE3

SI7356ADP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SVD5867NLT4G

SVD5867NLT4G

기술: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
IRFR3418TRLPBF

IRFR3418TRLPBF

기술: MOSFET N-CH 80V 70A DPAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB90R340C3ATMA1

IPB90R340C3ATMA1

기술: MOSFET N-CH 900V 15A TO-263

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
STT4P3LLH6

STT4P3LLH6

기술: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
AOB11S65L

AOB11S65L

기술: MOSFET N-CH 650V 11A TO263

제조업체: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
유품
RFQ
DMN53D0U-7

DMN53D0U-7

기술: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
SVD2955T4G

SVD2955T4G

기술: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
SI4134DY-T1-GE3

SI4134DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IPP50R299CPHKSA1

IPP50R299CPHKSA1

기술: MOSFET N-CH 550V TO220-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SVD14N03RT4G

SVD14N03RT4G

기술: MOSFET N-CH 25V 14A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
SVD5803NT4G

SVD5803NT4G

기술: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
IPP60R280P7XKSA1

IPP60R280P7XKSA1

기술: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
TK8Q65W,S1Q

TK8Q65W,S1Q

기술: MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
NTB45N06LG

NTB45N06LG

기술: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
NP109N04PUK-E1-AY

NP109N04PUK-E1-AY

기술: MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
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