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WPB4002-1E

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규격

제품 모델

WPB4002-1E
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

WPB4002-1E.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

-
Vgs (최대)

±30V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TO-3P-3L
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

360 mOhm @ 11.5A, 10V
전력 소비 (최대)

2.5W (Ta), 220W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3
작동 온도

150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2200pF @ 30V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

84nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

600V
상세 설명

N-Channel 600V 23A (Ta) 2.5W (Ta), 220W (Tc) Through Hole TO-3P-3L
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Ta)

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BUK7C08-55AITE,118

기술: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

제조업체: Nexperia

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제조업체: Apex Tool Group

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기술: MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220F

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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WPB149S0C-001

기술: WHIP MC 1/4 149 CENTER 149CT GP

제조업체: Laird Technologies - Antennas

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기술: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: WHIP MC 1/2 CNTR 149MHZ NGP

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기술: MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3

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기술: WHIP MC 1/4 137-150MHZ

제조업체: Laird Technologies - Antennas

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IXUN350N10

기술: MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation

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기술: SMPD HIPERFETS & MOSFETS

제조업체: IXYS Corporation

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기술: MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB

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기술: MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments

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제조업체: Honeywell Sensing and Productivity Solutions

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