GH0358821MA6N

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규격

제품 모델

GH0358821MA6N
제조업체 / 브랜드

AVX (KYOCERA AVX)
재고 수량

유품
기술

CAP CER 820PF 50V X7R NONSTND
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

GH0358821MA6N.pdf
ECAD 모델
전압 - 정격

50V
용인

±20%
두께 (최대)

0.009" (0.22mm)
온도 계수

X7R
크기 / 치수

0.035" L x 0.035" W (0.89mm x 0.89mm)
연속

GH
등급

-
포장

Tray
패키지 / 케이스

Nonstandard SMD
다른 이름들

Q7755914
작동 온도

-55°C ~ 125°C
실장 형

Surface Mount, MLCC
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

13 Weeks
리드 (Lead)

-
리드 간격

-
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
높이 - 장착 (최대)

-
풍모

-
상세 설명

820pF ±20% 50V Ceramic Capacitor X7R Nonstandard SMD
정전 용량

820pF
응용 프로그램

General Purpose

다음은 "GH0358821MA6N"관련 제품입니다.

C317C151J1G5CA

기술: CAP CER 150PF 100V NP0 RADIAL

제조업체: KEMET

유품

RFQ

C0603C102F2GECAUTO

기술: CAP CER 1000PF 200V C0G/NP0 0603

제조업체: KEMET

유품

RFQ

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기술: LASER DIODE 784NM 120MW TO18

제조업체: Sharp Microelectronics

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RFQ

1210J0630561GAR

기술: CAP CER 560PF 63V C0G/NP0 1210

제조업체: Knowles Syfer

유품

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GH06507B2A

기술: LASER DIODE 654NM 7MW TO18

제조업체: Sharp Microelectronics

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RFQ

TMK021CG8R5CK-W

기술: CAP CER 8.5PF 25V NP0 008004

제조업체: Taiyo Yuden

유품

RFQ

C0603X682K5RECAUTO

기술: CAP CER 6800PF 50V X7R 0603

제조업체: KEMET

유품

RFQ

GH04125A2A

기술: LASER DIODE 406NM 130MW TO18

제조업체: Sharp Microelectronics

유품

RFQ

0603Y2500560GFR

기술: CAP CER 56PF 250V C0G/NP0 0603

제조업체: Knowles Syfer

유품

RFQ

GH04020B2A

기술: LASER DIODE 406NM 20MW TO18

제조업체: Sharp Microelectronics

유품

RFQ

VJ0402A101GXQCW1BC

기술: CAP CER 100PF 10V C0G/NP0 0402

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

1808Y2K00180GCR

기술: CAP CER 18PF 2KV C0G/NP0 1808

제조업체: Knowles Syfer

유품

RFQ

1808Y0160121JDR

기술: CAP CER 120PF 16V X7R 1808

제조업체: Knowles Syfer

유품

RFQ

GH06510B2A

기술: LASER DIODE 654NM 10MW TO18

제조업체: Sharp Microelectronics

유품

RFQ

2225J0160474KXT

기술: CAP CER 0.47UF 16V X7R 2225

제조업체: Knowles Syfer

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RFQ

ECJ-0EB1E821K

기술: CAP CER 820PF 25V X7R 0402

제조업체: Panasonic

유품

RFQ

GH06550B2B

기술: LASER DIODE 654NM 50MW TO18

제조업체: Sharp Microelectronics

유품

RFQ

GH06560B2C

기술: LASER DIODE 658NM 60MW TO18

제조업체: Sharp Microelectronics

유품

RFQ

GH04P21A2GE

기술: LASER DIODE 406NM 105MW TO18

제조업체: Sharp Microelectronics

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VJ0603D750JXBAT

기술: CAP CER 75PF 100V C0G/NP0 0603

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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