> 제품 센터 > 커패시터 > 니 오 븀 산화물 커패시터 > NLJA476M006R1600
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
4407187NLJA476M006R1600 이미지AVX Corporation

NLJA476M006R1600

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
2000+
$0.456
4000+
$0.45
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    NLJA476M006R1600
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    CAP NIOB OXID 47UF 20% 6.3V 1206
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 정격
    6.3V
  • 용인
    ±20%
  • 제조업체 장치 패키지
    1206 (3216 Metric)
  • 크기 / 치수
    0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
  • 연속
    OxiCap® NLJ
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    1206 (3216 Metric)
  • 다른 이름들
    478-5652-2
  • 작동 온도
    -55°C ~ 105°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 제조 회사 규격 코드
    A
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 높이 - 장착 (최대)
    0.071" (1.80mm)
  • 풍모
    -
  • ESR (등가 직렬 저항)
    1.6 Ohms
  • 발산 계수
    -
  • 상세 설명
    47µF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 1206 (3216 Metric) 1.6 Ohms
  • 전류 - 누설
    28.2µA
  • 정전 용량
    47µF
NLJ17SZ32DFT2G

NLJ17SZ32DFT2G

기술: IC GATE OR 2INPUT SOT323

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
NOSX107M004R0100

NOSX107M004R0100

기술: CAP NIOB OXIDE 100UF 20% 4V 2917

제조업체: AVX Corporation
유품
NLJ74HC00ADTR2G

NLJ74HC00ADTR2G

기술: IC GATE AND QUAD CMOS 14TSSOP

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
NOSB226M008R1800V

NOSB226M008R1800V

기술: CAP NIOB OXID 22UF 20% 8V 1210

제조업체: AVX Corporation
유품
NOSE337M004R0100

NOSE337M004R0100

기술: CAP NIOB OXIDE 330UF 20% 4V 2917

제조업체: AVX Corporation
유품
NLJ17SZ14DFT2G

NLJ17SZ14DFT2G

기술: IC SCHMITT TRIG INVERTER SOT323

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
NLJ17SZ08DFT2G

NLJ17SZ08DFT2G

기술: IC GATE AND 2INPUT SOT323

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
NOJA475M006RWJ

NOJA475M006RWJ

기술: CAP NIOB OXI 4.7UF 20% 6.3V 1206

제조업체: AVX Corporation
유품
NLJP226M004R4000

NLJP226M004R4000

기술: CAP NIOB OXIDE 22UF 20% 4V 0805

제조업체: AVX Corporation
유품
NOSC157M002R0065

NOSC157M002R0065

기술: CAP NIOB OXI 150UF 20% 2.5V 2312

제조업체: AVX Corporation
유품
NOME477M004R0023

NOME477M004R0023

기술: CAP NIOB OXIDE 470UF 20% 4V 2917

제조업체: AVX Corporation
유품
NLJB157M004R1500

NLJB157M004R1500

기술: CAP NIOB OXIDE 150UF 20% 4V 1210

제조업체: AVX Corporation
유품
NOJS475M006RWJ

NOJS475M006RWJ

기술: CAP NIOB OXI 4.7UF 20% 6.3V 1206

제조업체: AVX Corporation
유품
NOJT336M002RWJ

NOJT336M002RWJ

기술: CAP NIOB OXID 33UF 20% 2.5V 1210

제조업체: AVX Corporation
유품
NLJVHC1GT08DFT2G

NLJVHC1GT08DFT2G

기술: IC GATE LEVEL SHIFTER SC88-6

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
NLJ74HC14ADTR2G

NLJ74HC14ADTR2G

기술: IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
NLJ74HC08ADTR2G

NLJ74HC08ADTR2G

기술: IC GATE AND QUAD CMOS 14TSSOP

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
NLJ27WZ14DFT2G

NLJ27WZ14DFT2G

기술: IC BUFFER DUAL CMOS SC88-6

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
NLJB107M006R1700

NLJB107M006R1700

기술: CAP NIOB OXI 100UF 20% 6.3V 1210

제조업체: AVX Corporation
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오