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RM25C256DS-LMAI-T

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  • 제품 모델
    RM25C256DS-LMAI-T
  • 제조업체 / 브랜드
    Adesto Technologies
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC CBRAM 256K SPI 20MHZ 8UDFN
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    RM25C256DS-LMAI-T.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    100µs, 2.5ms
  • 전압 - 공급
    1.65 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    CBRAM
  • 제조업체 장치 패키지
    8-UDFN (2x3)
  • 연속
    Mavriq™
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-UFDFN Exposed Pad
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    256kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스
    SPI
  • 메모리 형식
    CBRAM®
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    CBRAM Memory IC 256kb (64B Page Size) SPI 20MHz 8-UDFN (2x3)
  • 클럭 주파수
    20MHz

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기술: IC CBRAM 256K SPI 20MHZ 8SOIC

제조업체: Adesto Technologies
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기술: IC CBRAM 256K SPI 20MHZ 8TSSOP

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RM25C128DS-LSNI-B

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기술: IC CBRAM 128K SPI 20MHZ 8TSSOP

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RM25C256C-LSNI-T

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기술: IC CBRAM 256K SPI 10MHZ 8SOIC

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RM25C128DS-LSNI-T

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기술: IC CBRAM 128K SPI 20MHZ 8SOIC

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RM25C256C-LTAI-B

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기술: IC CBRAM 256K SPI 10MHZ 8TSSOP

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RM25C32DS-LSNI-B

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RM25C32DS-LMAI-T

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기술: IC CBRAM 32K SPI 20MHZ 8UDFN

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