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AS4C128M32MD2-18BCNTR

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  • 제품 모델
    AS4C128M32MD2-18BCNTR
  • 제조업체 / 브랜드
    Alliance Memory, Inc.
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
    AS4C128M32MD2-18BCNTR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.14 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 제조업체 장치 패키지
    134-FBGA (10x11.5)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    134-VFBGA
  • 작동 온도
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (128M x 32)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5)
  • 클럭 주파수
    533MHz

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AS4C128M8D2-25BCN

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C128M16D3LB-12BINTR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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AS4C128M32MD2A-25BIN

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C128M8D1-6TIN

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

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AS4C128M16D3LB-12BCN

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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AS4C128M32MD2-18BCN

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

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AS4C128M32MD2A-18BIN

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

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AS4C128M16MD2-25BCNTR

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