AS4C16M16SA-6BINTR

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유품

2500+

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규격

제품 모델

AS4C16M16SA-6BINTR
제조업체 / 브랜드

Alliance Memory, Inc.
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부
사양서

AS4C16M16SA-6BINTR.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

12ns
전압 - 공급

3 V ~ 3.6 V
과학 기술

SDRAM
제조업체 장치 패키지

54-TFBGA (8x8)
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

54-TFBGA
작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

DRAM
제조업체 표준 리드 타임

8 Weeks
상세 설명

SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TFBGA (8x8)
클럭 주파수

166MHz
액세스 시간

5ns

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