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5222748AS4C16M32MD1-5BINTR 이미지Alliance Memory, Inc.

AS4C16M32MD1-5BINTR

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  • 제품 모델
    AS4C16M32MD1-5BINTR
  • 제조업체 / 브랜드
    Alliance Memory, Inc.
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    AS4C16M32MD1-5BINTR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • 제조업체 장치 패키지
    90-FBGA (8x13)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    90-VFBGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    512Mb (16M x 32)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 액세스 시간
    5ns

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AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
RFQ
AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
RFQ
AS4C16M16SA-7BCNTR

AS4C16M16SA-7BCNTR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
RFQ
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

기술: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
RFQ
AS4C16M16SA-6TIN

AS4C16M16SA-6TIN

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
RFQ
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
RFQ
AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

기술: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

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AS4C16M16SA-7TCN

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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AS4C16M16SA-7BCN

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AS4C16M16SA-7TCNTR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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AS4C16M16SA-6TCNTR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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