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3533936AS4C2M32S-6BIN 이미지Alliance Memory, Inc.

AS4C2M32S-6BIN

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규격
  • 제품 모델
    AS4C2M32S-6BIN
  • 제조업체 / 브랜드
    Alliance Memory, Inc.
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    AS4C2M32S-6BIN.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    2ns
  • 전압 - 공급
    3 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    SDRAM
  • 제조업체 장치 패키지
    90-TFBGA (8x13)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    90-TFBGA
  • 다른 이름들
    1450-1147
    AS4C2M32S-6BIN-ND
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    64Mb (2M x 32)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
  • 클럭 주파수
    166MHz
  • 액세스 시간
    5.4ns

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AS4C2M32S-7BCN

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 144BGA

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AS4C2M32D1A-5BIN

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 144LFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C2M32D1A-5BINTR

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 144LFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C2M32S-6TINTR

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C2M32D1-5TCN

AS4C2M32D1-5TCN

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C2M32S-7TCN

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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AS4C2M32D1-5BIN

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 144BGA

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