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AS4C32M16D2B-25BIN

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규격
  • 제품 모델
    AS4C32M16D2B-25BIN
  • 제조업체 / 브랜드
    Alliance Memory, Inc.
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR2
  • 제조업체 장치 패키지
    84-FBGA (8x12.5)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    84-TFBGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-FBGA (8x12.5)
  • 클럭 주파수
    400MHz
  • 액세스 시간
    400ps

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AS4C32M16D3-12BIN

AS4C32M16D3-12BIN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
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AS4C32M16D2A-25BAN

AS4C32M16D2A-25BAN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D3L-12BIN

AS4C32M16D3L-12BIN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D3-12BINTR

AS4C32M16D3-12BINTR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D2B-25BCN

AS4C32M16D2B-25BCN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D3L-12BINTR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D2B-25BCNTR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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AS4C32M16D2A-25BINTR

AS4C32M16D2A-25BINTR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 84TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16MD1-5BCN

AS4C32M16MD1-5BCN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

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AS4C32M16D2A-25BCN

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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AS4C32M16D2-25BIN

AS4C32M16D2-25BIN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

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AS4C32M16D3L-12BCN

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

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AS4C32M16D3L-12BCNTR

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AS4C32M16D2A-25BIN

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