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2032660AS4C32M16MS-7BCN 이미지Alliance Memory, Inc.

AS4C32M16MS-7BCN

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규격
  • 제품 모델
    AS4C32M16MS-7BCN
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 512M PARALLEL 54BGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile SDRAM
  • 제조업체 장치 패키지
    54-BGA (9x8)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    54-VFBGA
  • 다른 이름들
    1450-1409
  • 작동 온도
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 133MHz 5.4ns 54-BGA (9x8)
  • 클럭 주파수
    133MHz
  • 액세스 시간
    5.4ns
AS4C32M16MSA-6BIN

AS4C32M16MSA-6BIN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C32M16MD1-6BCNTR

AS4C32M16MD1-6BCNTR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C32M16MS-7BCNTR

AS4C32M16MS-7BCNTR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 54BGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C32M16MD1A-5BCNTR

AS4C32M16MD1A-5BCNTR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C32M16MD1-5BCNTR

AS4C32M16MD1-5BCNTR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C32M16D3L-12BINTR

AS4C32M16D3L-12BINTR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C32M16MD1A-5BCN

AS4C32M16MD1A-5BCN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C32M16MD1-5BIN

AS4C32M16MD1-5BIN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16MSA-6BINTR

AS4C32M16MSA-6BINTR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SA-7TCN

AS4C32M16SA-7TCN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SA-7BCNTR

AS4C32M16SA-7BCNTR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C32M16SA-7BINTR

AS4C32M16SA-7BINTR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SA-7BCN

AS4C32M16SA-7BCN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D3L-12BIN

AS4C32M16D3L-12BIN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16MD1-5BCN

AS4C32M16MD1-5BCN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SA-7TIN

AS4C32M16SA-7TIN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SA-7BIN

AS4C32M16SA-7BIN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SA-7TCNTR

AS4C32M16SA-7TCNTR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C32M16MD1-6BCN

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

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AS4C32M16MD1-5BINTR

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