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6105886AS4C512M8D3-12BCN 이미지Alliance Memory, Inc.

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  • 제품 모델
    AS4C512M8D3-12BCN
  • 제조업체 / 브랜드
    Alliance Memory, Inc.
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    AS4C512M8D3-12BCN.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.425 V ~ 1.575 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR3
  • 제조업체 장치 패키지
    78-FBGA (9x10.5)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    78-TFBGA
  • 다른 이름들
    1450-1106
  • 작동 온도
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (9x10.5)
  • 클럭 주파수
    800MHz
  • 액세스 시간
    20ns

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C512M8D3A-12BCNTR

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제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C512M8D3-12BAN

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C512M16D3L-12BCNTR

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C512M16D3L-12BIN

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C512M8D3-12BIN

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C512M16D3L-12BCN

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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AS4C4M32SA-7TCNTR

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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AS4C4M32SA-7TCN

AS4C4M32SA-7TCN

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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기술: IC DRAM 16G PARALLEL 178FBGA

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기술: IC DRAM 16G PARALLEL 178FBGA

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