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6816495AS4C64M8D1-5BINTR 이미지Alliance Memory, Inc.

AS4C64M8D1-5BINTR

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  • 제품 모델
    AS4C64M8D1-5BINTR
  • 제조업체 / 브랜드
    Alliance Memory, Inc.
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
    AS4C64M8D1-5BINTR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    2.3 V ~ 2.7 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR
  • 제조업체 장치 패키지
    60-FBGA (8x13)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    60-TFBGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (8x13)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 액세스 시간
    700ps

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AS4C64M4SA-7TCN

AS4C64M4SA-7TCN

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
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AS4C64M8D1-5TINTR

AS4C64M8D1-5TINTR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D2-25BIN

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D1-5BCNTR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M32MD2-25BCNTR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D1-5TCN

AS4C64M8D1-5TCN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D1-5TCNTR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C64M4SA-6TINTR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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AS4C64M8D2-25BCNTR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D2-25BCN

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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AS4C64M8D1-5BIN

AS4C64M8D1-5BIN

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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AS4C64M4SA-6TIN

AS4C64M4SA-6TIN

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