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5969710AS4C8M16D1-5BCNTR 이미지Alliance Memory, Inc.

AS4C8M16D1-5BCNTR

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  • 제품 모델
    AS4C8M16D1-5BCNTR
  • 제조업체 / 브랜드
    Alliance Memory, Inc.
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
    AS4C8M16D1-5BCNTR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    2.3 V ~ 2.7 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR
  • 제조업체 장치 패키지
    60-TFBGA (8x13)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    60-TFBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 액세스 시간
    700ps

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AS4C8M16D1-5BIN

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16D1-5BCN

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

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