Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 집적회로 (ic) > 메모리 > MT47H128M8CF-3:H
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
5386039MT47H128M8CF-3:H 이미지Alliance Memory, Inc.

MT47H128M8CF-3:H

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    MT47H128M8CF-3:H
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR2
  • 제조업체 장치 패키지
    60-FBGA (8x10)
  • 연속
    -
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    60-TFBGA
  • 다른 이름들
    1450-1357-6
  • 작동 온도
    0°C ~ 85°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-FBGA (8x10)
  • 클럭 주파수
    333MHz
  • 액세스 시간
    450ps
MT47H128M8JN-3 IT:H

MT47H128M8JN-3 IT:H

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8HQ-3:G TR

MT47H128M8HQ-3:G TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8CF-3 AAT:H TR

MT47H128M8CF-3 AAT:H TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8CF-3:H

MT47H128M8CF-3:H

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8CF-3 L:H TR

MT47H128M8CF-3 L:H TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8HQ-3 IT:G

MT47H128M8HQ-3 IT:G

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8CF-3 L:H

MT47H128M8CF-3 L:H

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8CF-3 IT:H

MT47H128M8CF-3 IT:H

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8CF-3 IT:H TR

MT47H128M8CF-3 IT:H TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8HQ-3 L:G

MT47H128M8HQ-3 L:G

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8HQ-3 L:G TR

MT47H128M8HQ-3 L:G TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8CF-3 AIT:H

MT47H128M8CF-3 AIT:H

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8HQ-187E:E TR

MT47H128M8HQ-187E:E TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8CF-3:H TR

MT47H128M8CF-3:H TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8HQ-3:E TR

MT47H128M8HQ-3:E TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8CF-25E:M

MT47H128M8CF-25E:M

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8JN-25E:H

MT47H128M8JN-25E:H

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8CF-3 AIT:H TR

MT47H128M8CF-3 AIT:H TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8HQ-3 IT:G TR

MT47H128M8HQ-3 IT:G TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT47H128M8CF-3 AAT:H

MT47H128M8CF-3 AAT:H

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오