Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-rf > BLF6G10L-40BRN,118
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
2624243BLF6G10L-40BRN,118 이미지Ampleon

BLF6G10L-40BRN,118

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    BLF6G10L-40BRN,118
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 테스트
    28V
  • 전압 - 정격
    65V
  • 트랜지스터 유형
    LDMOS (Dual), Common Source
  • 제조업체 장치 패키지
    CDFM6
  • 연속
    -
  • 전력 - 출력
    2.5W
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-1112A
  • 다른 이름들
    934064277118
  • 잡음 지수
    -
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 이득
    23dB
  • 회수
    788.5MHz ~ 823.5MHz
  • 상세 설명
    RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 390mA 788.5MHz ~ 823.5MHz 23dB 2.5W CDFM6
  • 정격 전류
    11A
  • 전류 - 테스트
    390mA
  • 기본 부품 번호
    BLF6G10
BLF6G10L-40BRN,112

BLF6G10L-40BRN,112

기술: RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A

제조업체: Ampleon
유품
BLF6G10LS-160,112

BLF6G10LS-160,112

기술: RF FET LDMOS SOT502B

제조업체: Ampleon
유품
BLF6G10LS-160RN,11

BLF6G10LS-160RN,11

기술: RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B

제조업체: Ampleon
유품
BLF6G10LS-160,118

BLF6G10LS-160,118

기술: RF FET LDMOS SOT502B

제조업체: Ampleon
유품
BLF6G10LS-135R,118

BLF6G10LS-135R,118

기술: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B

제조업체: Ampleon
유품
BLF6G10LS-135R,112

BLF6G10LS-135R,112

기술: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B

제조업체: Ampleon
유품
BLF6G10-200RN,112

BLF6G10-200RN,112

기술: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A

제조업체: Ampleon
유품
BLF6G10LS-135RN,11

BLF6G10LS-135RN,11

기술: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B

제조업체: Ampleon
유품
BLF6G10-160RN,112

BLF6G10-160RN,112

기술: RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A

제조업체: Ampleon
유품
BLF6G10L-260PRN,11

BLF6G10L-260PRN,11

기술: RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A

제조업체: Ampleon
유품
BLF6G10L-260PRN:11

BLF6G10L-260PRN:11

기술: RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A

제조업체: Ampleon
유품
BLF6G10L-260PBM:11

BLF6G10L-260PBM:11

기술: RF FET LDMOS 65V SOT1110A

제조업체: Ampleon
유품
BLF6G10LS-200,112

BLF6G10LS-200,112

기술: FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
BLF6G10LS-200,118

BLF6G10LS-200,118

기술: FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
BLF6G10-45,112

BLF6G10-45,112

기술: RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A

제조업체: Ampleon
유품
BLF6G10-45,135

BLF6G10-45,135

기술: RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A

제조업체: Ampleon
유품
BLF6G10LS-135RN:11

BLF6G10LS-135RN:11

기술: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B

제조업체: Ampleon
유품
BLF6G10L-260PBM,11

BLF6G10L-260PBM,11

기술: RF FET LDMOS 65V SOT1110A

제조업체: Ampleon
유품
BLF6G10LS-160RN:11

BLF6G10LS-160RN:11

기술: RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B

제조업체: Ampleon
유품
BLF6G10-135RN,112

BLF6G10-135RN,112

기술: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A

제조업체: Ampleon
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오