> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 다이오드 정류기-단일 > 1N4003GL TR
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
65296161N4003GL TR 이미지Central Semiconductor

1N4003GL TR

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    1N4003GL TR
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • ECAD 모델
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.1V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    200V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-41
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • 다른 이름들
    1N4003GL TR-ND
    1N4003GLTR
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 200V 1A Through Hole DO-41
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 200V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    -
1N4003G A0G

1N4003G A0G

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
1N4003GPE-M3/54

1N4003GPE-M3/54

기술: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
1N4003GPE-M3/73

1N4003GPE-M3/73

기술: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
1N4003G-T

1N4003G-T

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

제조업체: Diodes Incorporated
유품
1N4003GP-M3/73

1N4003GP-M3/73

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
1N4003GPE-E3/54

1N4003GPE-E3/54

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
1N4003GP

1N4003GP

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
1N4003GL-T

1N4003GL-T

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

제조업체: Diodes Incorporated
유품
1N4003GP-E3/54

1N4003GP-E3/54

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
1N4003GHB0G

1N4003GHB0G

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
1N4003GHR1G

1N4003GHR1G

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
1N4003GHR0G

1N4003GHR0G

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
1N4003GPE-E3/53

1N4003GPE-E3/53

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
1N4003GHA0G

1N4003GHA0G

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
1N4003GP-M3/54

1N4003GP-M3/54

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
1N4003G R1G

1N4003G R1G

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
1N4003G BK

1N4003G BK

기술: DIODE GEN PURPOSE DO41

제조업체: Central Semiconductor
유품
1N4003G B0G

1N4003G B0G

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
1N4003GP-E3/73

1N4003GP-E3/73

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
1N4003G R0G

1N4003G R0G

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오