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CTLDM8002A-M621H BK

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제품 모델

CTLDM8002A-M621H BK
제조업체 / 브랜드

Central Semiconductor
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 50V DFN6
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

CTLDM8002A-M621H BK.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.5V @ 250µA
Vgs (최대)

20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TLM621H
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

2.5 Ohm @ 500mA, 10V
전력 소비 (최대)

1.6W (Ta)
패키지 / 케이스

6-XFDFN Exposed Pad
다른 이름들

CTLDM8002A-M621H BK-ND
CTLDM8002A-M621HBK
작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

70pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

0.72nC @ 4.5V
FET 유형

P-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

50V
상세 설명

P-Channel 50V 280mA (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount TLM621H
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

280mA (Ta)

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