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CDBJSC10650-G

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$3.53
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규격
  • 제품 모델
    CDBJSC10650-G
  • 제조업체 / 브랜드
    Comchip Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    CDBJSC10650-G.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.7V @ 10A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    650V
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220F
  • 속도
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    0ns
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-2 Full Pack
  • 다른 이름들
    641-1938
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Silicon Carbide Schottky
  • 상세 설명
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-220F
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    100µA @ 650V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    10A (DC)
  • VR, F @ 용량
    710pF @ 0V, 1MHz

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기술: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

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기술: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123F

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CDBJSC3650-G

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기술: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

제조업체: Comchip Technology
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CDBK0540

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기술: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123F

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CDBJFSC8650-G

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기술: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

제조업체: Comchip Technology
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기술: DIODE SCHOTTKY 90V 2A MBS-2

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