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CY14B104N-BA20XC

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  • 제품 모델
    CY14B104N-BA20XC
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    CY14B104N-BA20XC.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    20ns
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 제조업체 장치 패키지
    48-FBGA (6x10)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    48-TFBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    NVSRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 20ns 48-FBGA (6x10)
  • 기본 부품 번호
    CY14B104
  • 액세스 시간
    20ns

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CY14B104N-BA45XC

CY14B104N-BA45XC

기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY14B104N-BA20XIT

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY14B104M-ZSP25XI

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY14B104N-BA45XCT

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY14B104N-BA20XI

CY14B104N-BA20XI

기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

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CY14B104M-ZSP45XI

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY14B104LA-ZS20XIT

CY14B104LA-ZS20XIT

기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY14B104N-BA20XCT

CY14B104N-BA20XCT

기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY14B104M-ZSP25XIT

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY14B104LA-ZS25XIT

CY14B104LA-ZS25XIT

기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY14B104M-ZSP45XIT

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 54TSOP

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CY14B104LA-ZS25XI

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CY14B104N-BA25XC

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