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CY14B116N-BZ25XIT

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  • 제품 모델
    CY14B116N-BZ25XIT
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC NVSRAM 16M PARALLEL 165FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    CY14B116N-BZ25XIT.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    25ns
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 제조업체 장치 패키지
    165-FBGA (15x17)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    165-LBGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    NVSRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    9 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 25ns 165-FBGA (15x17)
  • 액세스 시간
    25ns

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CY14B116N-BZ25XI

CY14B116N-BZ25XI

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제조업체: Cypress Semiconductor
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CY14B116L-ZS25XI

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CY14B116N-Z30XI

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기술: IC NVSRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

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CY14B116N-Z30XIT

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기술: IC NVSRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

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CY14B116N-BA25XI

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기술: IC NVSRAM 16M PARALLEL

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CY14B116M-BZ45XIT

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CY14B116N-ZSP25XI

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CY14B116M-BZ45XI

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