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CY14ME064J2-SXQT

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  • 제품 모델
    CY14ME064J2-SXQT
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC NVSRAM 64K I2C 3.4MHZ 8SOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 과학 기술
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SOIC
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 작동 온도
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스
    I²C
  • 메모리 형식
    NVSRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) I²C 3.4MHz 8-SOIC
  • 클럭 주파수
    3.4MHz
CY14MB256J1-SXIT

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기술: IC NVSRAM 256K I2C 3.4MHZ 8SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY14ME064J1-SXI

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기술: IC NVSRAM 64K I2C 3.4MHZ 8SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
CY14MB256J2-SXIT

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기술: IC NVSRAM 256K I2C 3.4MHZ 8SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY14ME064Q1A-SXI

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기술: IC NVSRAM 64K SPI 40MHZ 8SOIC

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CY14ME064J2-SXI

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기술: IC NVSRAM 64K I2C 3.4MHZ 8SOIC

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CY14ME064J2-SXIT

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기술: IC NVSRAM 64K SPI 40MHZ 8SOIC

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