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CY62126EV18LL-70BVXI

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유품
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규격
  • 제품 모델
    CY62126EV18LL-70BVXI
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 1M PARALLEL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    CY62126EV18LL-70BVXI.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    70ns
  • 전압 - 공급
    1.65 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SRAM - Asynchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    48-VFBGA (6x8)
  • 연속
    MoBL®
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    48-VFBGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1Mb (64K x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    9 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 70ns 48-VFBGA (6x8)
  • 액세스 시간
    70ns

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CY62126EV30LL-55ZSXET

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기술: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY62127DV30L-55BVXE

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기술: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY62127DV30L-55BVXET

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기술: IC SRAM 1M PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY62126EV30LL-55ZSXE

CY62126EV30LL-55ZSXE

기술: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY62126EV30LL-55BVXET

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제조업체: Cypress Semiconductor
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CY62126ESL-45ZSXI

CY62126ESL-45ZSXI

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CY62126EV30LL-55BVXE

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CY62126EV30LL-45ZSXA

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기술: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

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CY62126ESL-45ZSXA

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CY62126ESL-45ZSXAT

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