CY7C1041GN-10VXIT

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유품

500+

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규격

제품 모델

CY7C1041GN-10VXIT
제조업체 / 브랜드

Cypress Semiconductor
재고 수량

유품
기술

IC SRAM 4M PARALLEL
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

CY7C1041GN-10VXIT.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

10ns
전압 - 공급

4.5 V ~ 5.5 V
과학 기술

SRAM - Asynchronous
제조업체 장치 패키지

44-SOJ
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

SRAM
제조업체 표준 리드 타임

9 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 44-SOJ
액세스 시간

10ns

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