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CY7C1312KV18-300BZXC

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규격
  • 제품 모델
    CY7C1312KV18-300BZXC
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    CY7C1312KV18-300BZXC.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SRAM - Synchronous, QDR II
  • 제조업체 장치 패키지
    165-FBGA (13x15)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    165-LBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    18Mb (1M x 18)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    15 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 300MHz 165-FBGA (13x15)
  • 클럭 주파수
    300MHz
  • 기본 부품 번호
    CY7C1312

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CY7C1312KV18-300BZXCT

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