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CY7C1418JV18-300BZC

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  • 제품 모델
    CY7C1418JV18-300BZC
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    CY7C1418JV18-300BZC.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SRAM - Synchronous, DDR II
  • 제조업체 장치 패키지
    165-FBGA (15x17)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    165-LBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    36Mb (2M x 18)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 300MHz 165-FBGA (15x17)
  • 클럭 주파수
    300MHz
  • 기본 부품 번호
    CY7C1418

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CY7C1418KV18-300BZC

CY7C1418KV18-300BZC

기술: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY7C1418BV18-167BZC

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제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

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CY7C1418JV18-300BZXC

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제조업체: Cypress Semiconductor
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CY7C1415TV18-250BZC

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기술: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY7C1418KV18-250BZI

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제조업체: Cypress Semiconductor
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CY7C1418KV18-250BZC

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기술: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY7C1418AV18-267BZC

CY7C1418AV18-267BZC

기술: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

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CY7C1418BV18-250BZXC

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기술: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

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CY7C1418KV18-333BZC

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제조업체: Cypress Semiconductor
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CY7C1418AV18-167BZC

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CY7C1418KV18-250BZCT

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CY7C1418KV18-250BZXI

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