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CY7C2165KV18-550BZXC

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규격
  • 제품 모델
    CY7C2165KV18-550BZXC
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    CY7C2165KV18-550BZXC.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SRAM - Synchronous, QDR II+
  • 제조업체 장치 패키지
    165-FBGA (13x15)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    165-LBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    15 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 550MHz 165-FBGA (13x15)
  • 클럭 주파수
    550MHz

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CY7C2163KV18-550BZXI

CY7C2163KV18-550BZXI

기술: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY7C2163KV18-450BZXI

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY7C199D-25SXET

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기술: IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY7C2165KV18-450BZC

CY7C2165KV18-450BZC

기술: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

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유품
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CY7C199D-10ZXI

CY7C199D-10ZXI

기술: IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY7C2170KV18-550BZXC

CY7C2170KV18-550BZXC

기술: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

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CY7C2168KV18-550BZC

CY7C2168KV18-550BZC

기술: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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RFQ
CY7C2165KV18-550BZC

CY7C2165KV18-550BZC

기술: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

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CY7C2245KV18-450BZXI

CY7C2245KV18-450BZXI

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CY7C199D-10ZXIT

CY7C199D-10ZXIT

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CY7C2170KV18-400BZXC

CY7C2170KV18-400BZXC

기술: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

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CY7C199D-25SXE

CY7C199D-25SXE

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제조업체: Cypress Semiconductor
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CY7C2170KV18-400BZC

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

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CY7C2263KV18-450BZXI

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기술: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

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CY7C21701KV18-400BZXC

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CY7C199NL-15ZXCT

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CY7C2262XV18-366BZXC

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CY7C2262XV18-450BZXC

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