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CY7S1049GE30-10VXI

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  • 제품 모델
    CY7S1049GE30-10VXI
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    CY7S1049GE30-10VXI.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    10ns
  • 전압 - 공급
    2.2 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    SRAM - Asynchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    36-SOJ
  • 연속
    -
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    9 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 10ns 36-SOJ
  • 액세스 시간
    10ns

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기술: IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC SRAM 4M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY7S1061G30-10ZXIT

CY7S1061G30-10ZXIT

기술: IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC SRAM 4M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor
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CY7S1061G30-10BVXI

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기술: IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

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CY7S1061G18-15ZSXI

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기술: IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 36SOIC

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL

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기술: IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

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기술: IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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기술: IC SRAM 4MB 10NS 44BGA

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