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CYD18S18V18-167BBAXI

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  • 제품 모델
    CYD18S18V18-167BBAXI
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    CYD18S18V18-167BBAXI.pdf
  • ECAD 모델
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    256-FBGA (17x17)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    256-LBGA
  • 다른 이름들
    CYD18S18V18167BBAXI
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    5 (48 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    18Mb (1M x 18)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 167MHz 4ns 256-FBGA (17x17)
  • 클럭 주파수
    167MHz
  • 기본 부품 번호
    CYD18S18
  • 액세스 시간
    4ns

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CYD18S72V-133BBI

CYD18S72V-133BBI

기술: IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
RFQ
CYD18S72V-133BBC

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
RFQ
CYD09S72V18-200BBXC

CYD09S72V18-200BBXC

기술: IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CYD18S72V-100BBC

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
RFQ
CYD09S72V-133BBC

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기술: IC SRAM 9M PARALLEL 484FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
RFQ
CYD18S18V18-200BBAXC

CYD18S18V18-200BBAXC

기술: IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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RFQ
CYD18S18V18-200BBAXI

CYD18S18V18-200BBAXI

기술: IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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RFQ
CYD09S72V-167BBC

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기술: IC SRAM 9M PARALLEL 484FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CYD18S72V-100BBI

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CYD09S72V18-167BBXI

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기술: IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CYD09S72V18-167BBXC

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기술: IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

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CYD09S36V18-WW14

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기술: IC SRAM 9MBIT 256FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CYD18S72V18-167BBXC

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