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CYD36S18V18-200BGXC

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  • 제품 모델
    CYD36S18V18-200BGXC
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 36M PARALLEL 484FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    CYD36S18V18-200BGXC.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    484-FBGA (23x23)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    484-FBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    36Mb (2M x 18)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 200MHz 3.3ns 484-FBGA (23x23)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 기본 부품 번호
    CYD36S18
  • 액세스 시간
    3.3ns

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CYD18S72V18-167BGXC

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CYD18S72V18-200BGXI

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CYD36S36V18-167BGXI

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기술: IC SRAM 36M PARALLEL 484FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CYD18S72V18-200BGI

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CYD36S36V18-133BBXC

CYD36S36V18-133BBXC

기술: IC SRAM 36M PARALLEL 256FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CYD36S36V18-200BBXC

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기술: IC SRAM 36M PARALLEL 256FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CYD36S72V18-200BGXC

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기술: IC SRAM 36M PARALLEL 484FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CYD18S72V18-167BGC

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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CYD18S72V18-250BBXC

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