Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 집적회로 (ic) > 메모리 > S27KL0641DABHB020
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
4662742S27KL0641DABHB020 이미지Cypress Semiconductor

S27KL0641DABHB020

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$3.59
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    S27KL0641DABHB020
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    DRAM
  • 제조업체 장치 패키지
    24-FBGA (6x8)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    24-VBGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    64Mb (8M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    15 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 100MHz 40ns 24-FBGA (6x8)
  • 클럭 주파수
    100MHz
  • 액세스 시간
    40ns
S2745-S-M

S2745-S-M

기술: SLDR SPNG 4.5X2.7" SLITS 1000PK

제조업체: EasyBraid Co.
유품
S2761-46R

S2761-46R

기술: PC TEST POINT TIN SMD

제조업체: Harwin
유품
S27KL0641DABHA020

S27KL0641DABHA020

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
S27KL0641DABHB033

S27KL0641DABHB033

기술: IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
S27KL0641DABHA023

S27KL0641DABHA023

기술: IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
S2751-46R

S2751-46R

기술: PC TEST POINT TIN SMD

제조업체: Harwin
유품
S27KL0641DABHI030

S27KL0641DABHI030

기술: IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
S27KL0641DABHI033

S27KL0641DABHI033

기술: IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
S2745-S-T

S2745-S-T

기술: SOLDR SPONGE 4.5X2.7" SLITS 10PK

제조업체: EasyBraid Co.
유품
S27KL0641DABHA030

S27KL0641DABHA030

기술: IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
S27KL0641DABHV020

S27KL0641DABHV020

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
S27KL0641DABHB030

S27KL0641DABHB030

기술: IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
S27KL0641DABHI023

S27KL0641DABHI023

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
S27KL0641DABHV030

S27KL0641DABHV030

기술: IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
S27KL0641DABHA033

S27KL0641DABHA033

기술: IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
S27KL0641DABHB023

S27KL0641DABHB023

기술: IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
S27KL0641DABHI020

S27KL0641DABHI020

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
S271K43SL0N6TK5R

S271K43SL0N6TK5R

기술: CAP CER 270PF 1KV SL RADIAL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
S27KL0641DABHV023

S27KL0641DABHV023

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
S271K25X7RP6UK5R

S271K25X7RP6UK5R

기술: CAP CER 270PF 2KV X7R RADIAL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오