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S29GL01GS11TFV010

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  • 제품 모델
    S29GL01GS11TFV010
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    60ns
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NOR
  • 제조업체 장치 패키지
    56-TSOP
  • 연속
    GL-S
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 작동 온도
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NOR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 110ns 56-TSOP
  • 액세스 시간
    110ns
S29GL01GS11TFB010

S29GL01GS11TFB010

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
S29GL01GS11TFV013

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29GL01GS11TFB023

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기술: IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29GL01GS11WEI019

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL WAFER

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29GL01GS12DHVV10

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29GL01GS11WEI029

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL WAFER

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29GL01GS11TFI010

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

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S29GL01GS12DHIV20

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

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S29GL01GS12DHVV13

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S29GL01GS11TFIV13

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S29GL01GS11TFV023

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S29GL01GS11TFIV23

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S29GL01GS11TFI013

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S29GL01GS11TFV020

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S29GL01GS11TFA010

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