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S29GL01GT12TFN023

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  • 제품 모델
    S29GL01GT12TFN023
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 1G PARALLEL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    S29GL01GT12TFN023.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    60ns
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NOR
  • 연속
    GL-T
  • 작동 온도
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NOR Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 120ns
  • 액세스 시간
    120ns

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S29GL01GT12DHVV13

기술: IC FLASH 1G PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29GL01GT13DHNV10

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL

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S29GL01GT12TFN013

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S29GL01GT12TFVV20

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

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S29GL01GT13DHNV13

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
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S29GL01GT12TFN010

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
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S29GL01GT13TFNV13

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
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S29GL01GT12DHVV10

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29GL01GT12DHN023

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29GL01GT12TFVV13

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기술: IC NOR

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S29GL01GT13TFNV10

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL

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S29GL01GT12TFM020

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S29GL01GT12TFN020

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S29GL01GT13DHNV23

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